اندازه گیری طول عمر نابودی پوزیترون در سیلیسیم تابش دیده توسط گاما

روش طیف سنجی طول عمر نابودی پوزیترون، روش جدیدی است که پژوهشگران در حال مطالعه، کشف کاربردهای جدید و تکمیل و بهبود آن هستند. این روش یکی از روش های طیف سنجی پوزیترون است. روش های طیف سنجی همواره برای بررسی ساختار مواد مختلف مورد توجه بوده اند. از کاربردهای مهم این روش می توان به تخمین میزان تاثیر تشعشعات پرتوزا بر روی ساختار موادی که در معرض این گونه تابش ها قرار گرفته اند اشاره نمود. در این پژوهش از دستگاه طیف سنجی طول عمر نابودی پوزیترون، با تفکیک پذیری زمانی حدود 356 پیکو ثانیه استفاده شده است. نمونه های سیلیکونی نوع nوp رشد یافته به روش سی زورالسکی تحت تابش گامای ناشی از چشمه co60 واقع در سازمان انرژی اتمی ایران قرار گرفته اند. نمونه ها به ترتیب تحت تابش با دوزهای 12، 75و175 کیلوگری قرار گرفته اند. طیف های طول عمر نابودی پوزیترون در نمونه هاتوسط نرم افزار پاسکوال برازش شده اند. تحلیل طول عمر نابودی پوزیترون در نمونه های تابش خورده، بیانگر این واقعیت است که دوز های 12،75و175 کیلو گری از تابش گاما برای ایجاد عیب در نمونه سیلیکونی کافی نیستند.